报道中称
，星携以提高其半导体芯片在生产过程中的手美善纳良率，ESD是米良
造成半导体芯片缺陷的主要原因之一
，该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上。率希望赶
良率不超过20%
，超台三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间，积电帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进。星携
IT之家了解到 ，手美善纳因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作
，米良
三星已经与美国的率希SiliconFrontlineTechnology公司合作 ， 援引韩媒Naver报道 ，望赶该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的超台技术 。在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕 。积电以便于在3纳米工艺上赶超台积电 。星携并取得了令人满意的结果 。三星电子先进制程良率非常低，据报道 ，量产进度陷入瓶颈 。是由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的
。据传三星3纳米解决方案制程自量产以来 ，这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术 。自5纳米制程开始一直存在良率问题，
三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的问题 ，
