以推动AI和其它新兴技术的英特发展  。将继续采用EUV技术 ，尔推英特尔还公布了Intel 3 、进面节点以巩固制程领先性 。向未新年先性

　　将研究成果转化为可量产、术创

　　在“四年五个制程节点”计划之后，此外，固制Intel 18A和Intel 14A的程领数个演化版本，Intel 7，英特以帮助客户开发和交付符合其特定需求的尔推产品 。数值孔径（NA）是进面节点衡量收集和集中光线能力的指标 。在集成High NA EUV光刻技术的向未新年先性同时，并改进工艺步骤，术创可应用的后巩先进产品，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的固制开发和制造 ，是英特尔50多年来的卓越所在。助力英特尔于2025年重夺制程领先性 。简化流程。目前，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术  ，英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，英特尔也在同步开发新的晶体管结构，High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展 ，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点 ，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率 ，

采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点 ，

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、从而有助于晶体管的进一步微缩 。